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郝跃 |
研究领域（方向）
郝院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。
个人及工作简历
郝跃教授，微电子技术专家。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在计算数学专业获博士学位。担任国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项副总师，军委科技委电子技术领域专家委员会主任委员，国务院学位委员会电子科学与技术学科评议组召集人，国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员，全国政协委员。国家有突出贡献中青年专家，曾担任国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、多个国内外学术会议的大会主席和程序委员会主席。
科研项目
郝院士在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
学术及科研成果、专利、论文
获得国家发明奖二等奖1项，国家科技进步二等奖2项；出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”、“碳化硅宽带隙半导体技术”、“集成电路制造动力学理论与方法”和“微纳米CMOS器件可靠性与失效机理”等多部著作，在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇；2010年荣获“何梁何利”科学技术奖，2013年当选中国科学院院士。
联系方式
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